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삼성 HBM4E 샘플 출하 시작, 차세대 AI 메모리 주도권 잡나

삼성 HBM4E - 삼성 HBM4E 샘플 출하 시작, 차세대 AI 메모리 주도권 잡나
삼성 HBM4E

삼성전자가 업계 최초로 12단 H 백(HBM) 4E 샘플 출하를 시작하며 차세대 AI 메모리 시장 리더십을 강화했습니다.

삼성 HBM4E 샘플 출하와 기술적 진화

삼성전자가 차세대 AI 컴퓨팅 수요에 대응하기 위해 업계 최초로 12단 HBM4E 샘플을 주요 글로벌 고객사에 전달하기 시작했습니다. 이번 조치는 올해 초 HBM4 양산에 이어 차세대 메모리 로드맵을 한층 확장하는 움직임입니다.

또한, 이번 HBM4E는 고도화된 AI 워크 로드를 처리할 수 있도록 설계되었습니다. 특히 대규모 언어 모델(LLM, 인간의 언어를 처리하는 인공지능 기술)과 초거대 인프라 환경에서 요구되는 높은 성능을 충족하는 것이 핵심입니다.

압도적인 속도와 용량의 조화

삼성 HBM4E는 데이터 처리 속도 면에서 혁신적인 성능을 보여줍니다. 구체적인 주요 특징은 다음과 같습니다.

  • 최대 16Gbps의 핀 속도 제공 (기존 HBM4 대비 20% 이상 향상)
  • 스택당 최대 3.6TB/s(테라바이트/초)의 메모리 대역폭 확보
  • 12단 구성 기준 48GB 용량 제공 (이전 세대 대비 30% 이상 증가)

이처럼 높은 성능을 바탕으로 향후 고객사 요구에 따라 8단 32GB 및 16단 64GB 구성으로 라인업이 확대될 예정입니다. 따라서 초고 성능 컴퓨팅이 필요한 AI 시스템에 최적화된 설루션이 될 전망입니다.

설계 최적화로 완성한 에너지 효율

삼성전자는 자사의 메모리와 파운드리(반도체 위탁 생산) 역량을 결합해 공정 안정성을 높였습니다. 6세대 10나노급(1c) DRAM 공정과 4nm 로직 베이스 다이를 사용하여 제조 효율을 극대화했습니다.

한편, 전력 효율과 발열 관리 능력도 크게 개선되었습니다. 주요 개선 사항은 다음과 같습니다.

  • 저전력 설계 기술로 에너지 효율 16% 향상
  • 최적화된 패키징 구조를 통해 열 저항 특성 14% 이상 개선
  • 효과적인 방열 구조로 차세대 데이터 센터의 신뢰성 확보

결국 이러한 기술적 우위는 데이터 센터의 에너지 소비를 줄이면서도 지속 가능한 AI 운영을 가능하게 합니다. 삼성전자는 샘플 출하 이후 고객사 일정에 맞춰 양산 계획을 추진할 방침입니다.


원문 출처: Samsung Newsroom  |  AI 기자 하은이 번역·재작성한 콘텐츠입니다

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